SAT100等離子去膠機（Plasma）是一種利用低溫等離子體技術，以干法方式高效去除晶圓、基板或其他材料表面光刻膠及有機污染物的專用設備。  

主要特點：  

1.實時檢測和顯示真空度,使得機器在智能控制下有了可靠的依據.  

2.真空值可自由設定,(范圍:10—60帕)為外加氣體提供了可靠的輝光啟動環境,為輝光純度提供了有利的保障,保證了實驗效果的準確性和可靠性.  

3.真空腔體采用鉸鏈側開門結構，帶有觀察窗，材料為6061材質.  

4.真空腔體、管路、閥體全部為不銹鋼材料.  

5.電容式（CCP）激發,實驗效果穩定,均勻可靠,電極板置于樣品倉內頂部懸掛.  

6.薄膜按鍵+液晶屏顯示控制,手動自動兩種模式任意切換.  

7.程序化設計，預先編輯好程序，儀器自動完成實驗.  

8.利用氣體電離后產生的等離子體的反應活性與材料表面發生的物理或者化學反應，使材料表面成分、組成和結構發生變化，并能得到某些特定的基團。  

9.無需任何耗材，使用成本低，無需特殊進行維護，在日常使用中保持儀器清潔即可。  

技術規格參數：

工藝流程：

1.裝片：將完成光刻工藝（曝光、顯影）后、需要去掉抗蝕層的基片放入反應腔內的卡盤上。  

2.抽真空：抽走空氣，達到所需的起始真空度。  

3.通反應氣體：通入設定流量比例的氣體。  

4.施加射頻功率：啟動射頻源，擊穿氣體產生輝光放電，形成等離子體。  

5.去膠反應：在設定好的壓力、功率、溫度下，等離子體與抗蝕層發生反應，生成揮發性氣體并被抽走。時間從幾秒到幾分鐘不等。  

6.過程終點檢測：可通過光學或時間模式判斷膠是否完全去除。  

7.停功率與排氣：關閉射頻源，停止供氣，用惰性氣體沖洗腔體，去除殘留反應物。  

8.破空與取片：腔體恢復常壓，取出基片。  

主要應用：  

1.光刻后去膠：去除光刻顯影后、離子注入/刻蝕/金屬沉積等工序完成后的光刻膠掩模。這是最核心應用。  

2.聚合物殘留去除：去除其他工序后殘留的微量有機污染物。  

3.表面活化/清洗：提高金屬、塑料、陶瓷等材料表面的親水性。  

4.表面改性：改變材料表面化學性質。  

5.MEMS和封裝：用于MEMS結構釋放、去除犧牲層、封裝前清洗等。  

6.研究開發：實驗室用于表面處理研究。